1. Modyfikacja powierzchni poprzez naświetlanie niskoenergetyczną wiązką lekkich jonów
2. Implantacja cienkich warstw jonami w celu modyfikacji ich własności fizykochemicznych
3. Analiza składu chemicznego cienkich warstw o grubościach od poniżej nm do kilku nm – spekroskopia AES, XPS
4. Identyfikacja śladowych ilości materiałów promieniotwórczych i składu izotopowego za pomocą Low-Level Gamma Spectroscopy.
Aparatura:
1. System akceleratorowy o napięciu przyśpieszającym 20 kV wraz z amagnetyczną komorą analityczną, wyposażoną w układ do spektroskopii elektronów Auger (AES) oraz rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronowej (XPS – w trakcie rozbudowy)
2. System akceleratorowy o napięciu przyspieszającym 30 kV, wykorzystywany do implantacji i naświetlania próbek promieniowaniem jonizującym
3. Układ do analizy śladowych ilości materiałów promieniotwórczych (Low-Level Gamma Spectroscopy).